出展者によるセミナー
TSN2
同時通訳
東京ビッグサイト 東5ホール TechSTAGE NORTH
12月13日(水)12:50-14:30
STS パワーデバイスセッション(1)
新材料パワー半導体 -GaN/SiC/GaOx-
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概要
新材料パワーデバイスの本格実用が始まりました。ここでは市場動向を含めSiC, GaNに加えGaOxパワーデバイスや実装の現状、産学連携からシンクロトロン光利用まで幅広く紹介します。
プログラムアジェンダ
(株)アルバック 鄒 弘綱
パナソニック(株)上本 康裕
ローム(株)中村 孝
12:50-13:20
本格的産学共創による省エネGaN研究開発拠点形成について
国立大学法人 名古屋大学
学術研究・産学官連携推進本部 企画戦略グループ GaN研究戦略室
企画調整ユニットリーダ 首席リサーチアドミニストレータ
佐藤 浩哉
2015年、名古屋大学は、次世代半導体GaNの研究開発に本格的にコミットすることを宣言した。この実現のため、大学自体の組織革新、体制強化を推進すると同時に、広く大学内外の力を結集して実現するために、オールジャパン体制によるGaN研究コンソーシアムを立ち上げた。この組織は、死の谷の『橋渡し機能』を包含した”オープンイノベーションシステムの構築”を進めることにより「省エネルギーイノベーション」を世界に先駆けて実現することを目的としている。
本講演では、個別共同研究を主体とした従来型産学協同と一線を画し、本格的産学共創を進める本スキームについて解説する。
13:20-13:50
還流ダイオード機能を有するSiCパワーMOSFET(DioMOS)
パナソニック(株)オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社
パワエレ事業推進室
主幹技師
内田 正雄
SiCは次世代のパワーエレクトロニクスを支える魅力的な半導体材料であり、高耐圧、低抵抗、高速動作のMOSFETやSBDを実現できる。SiC MOSFETは素子内部に寄生pnダイオードを有しているが、ワイドギャップ半導体ゆえに電圧降下が大きい。さらに、SiCのpn接合に通電すると結晶欠陥が拡張してデバイス特性が劣化することが知られているため、SiC SBDと並列接続して用いられたり、MOSFET内へショットキー電極を内蔵することがある。本講演では、高閾値のトランジスタ動作と低立上り電圧のダイオード動作を両立できるSiC MOSFET (DioMOS)を紹介する。
13:50-14:20
酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況と今後の展開
(株)FLOSFIA
営業部
部長
井川 拓人
酸化ガリウム(Ga2O3)は、約5eVにも及ぶ広いバンドギャップを持つ半導体であり、超低損失パワーデバイスへの応用が期待できる魅力的な新材料である。また、低コスト化への取り組みも進んでおり、次世代パワーデバイスの本命材料とも見られつつある。本講演ではFLOSFIAと京都大学がこれまで行ってきた取り組みや最新のデバイスデータについて発表する。