パワー半導体の市場動向

（株）産業タイムズ社

電子デバイス産業新聞

副編集長

稲葉 雅巳

パワー半導体市場は自動車、産業機器、白物家電、鉄道を中心に今後も市場拡大が見込まれています。国内企業はIGBTを中心に再び設備投資を再開しようとしているほか、欧州勢も積極的な事業展開を見せています。さらには今後、新興の中国系企業の台頭も予測されており、市場が活発化しています。技術的な側面からは、既存のシリコン系デバイスに加えて、近年はSiCやGaNといった次世代パワー半導体もいよいよ普及期に入ろうとしています。市場・技術の両面から最新のパワー半導体市場の動向を報告します。

GaN-on-Si epitaxy: Improvements in isolation and other parameters

ALLOS Semiconductors GmbH

Management

Co-founder and CTO

西川 敦

GaN material properties are crucial for GaN device performance. For example high crystal quality and thick GaN layers can help improve isolation. Furthermore careful layer stack design plays an important role as does doping to trap carriers.
Among other aspects this work will show experimental data on very low vertical leakage currents of 0.07 µA/mm² @ 600 V without intentional C-doping.

パワー半導体モジュールにおけるパッケージ技術

富士電機（株）

電子デバイス事業本部 開発統括部 パッケージ開発部 先行開発課

課長

池田 良成

パワー半導体モジュールは産業向けインバータをはじめ、電気自動車向けや電鉄向けインバータなどに広く使用さている。今回のセミナーでは、IGBTモジュールに代表されるパワー半導体モジュールの熱設計技術や信頼性技術などのパッケージ技術と、それを実現する実装技術について紹介をする。また、実用化が始まったSiCなどのワイドバンドギャップデバイスを搭載する際に求められるパッケージ技術に関しても紹介をする。

あいちシンクロトロン光センター -産業利用を主目的とした放射光施設の使いどころ-

（公財）科学技術交流財団

あいちシンクロトロン光センター

所長

竹田 美和

あいちシンクロトロン光センターは、付加価値の高いモノづくり技術を支援するため、愛知県が万博跡地に整備を進めている「知の拠点あいち」の中核をなす共同利用施設です。産学行政による連携・協力のもと、公益財団法人科学技術交流財団が建設し運営を行っています。この施設は、従来の学術利用中心のシンクロトロン光施設とは異なり、産業利用と新規利用を重視して支援体制の充実や使いやすいメニューを提供する施設です。
本講演では、半導体の研究開発の利用例を中心に当施設の使いどころを紹介します。