出展者によるセミナー
TSN5
同時通訳
東京ビッグサイト 東5ホール TechSTAGE NORTH
12月14日(木)12:50-14:30
STS 先端リソグラフィーセッション(1)
量産適用が近づくEUVリソグラフィの最新動向
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概要
長期間をかけて開発してきたEUVリソグラフィがいよいよ半導体量産に適用される見通しとなりました。EUV露光装置・光源の準備状況と、レジストなど関連材料の話題を取り上げます。
プログラムアジェンダ
(株)ニコン 大和 壮一
(株)日立ハイテクノロジーズ 池野 昌彦
12:50-13:20
EUV Lithography Industrialization Progress
エーエスエムエル・ジャパン(株)
テクニカルマーケティング
ディレクター
森崎 健史
This presentation will provide an overview of the industrialization of EUV Lithography, including the latest data on imaging, overlay, defectivity and source power/ productivity. It will include an update on TWINSCAN NXE:3400B, ASML’s latest EUV tool, which customers intend to use for volume production.
13:20-13:50
長寿命集光鏡搭載 量産用高出力LPP光源の開発
ギガフォトン(株)
研究部
代表取締役副社長兼CTO、研究部長
溝口 計
我々は13.5nm領域の半導体量産用の有力な光源として炭酸ガスレーザー励起プラズマEUV光源を開発してきた。パルス炭酸ガスレーザーと錫ドロップレットの組み合わせ、2の波長レーザでのプラズマ生成、磁場によるミチゲーション、はギガフォトン社の独創的なアイディアに拠る製品である。2014年に量産型光源 “Proto#2” を開発した。そのドライバーCO2レーザーシステムでは三菱電機社と共同で20kWのパルスレーザーシステムの開発に成功した。またβ機 “Pilot#1” は現在立ち上げを完了し、2016年10月には5%の変換効率で117W( in burst stabilized, 95% duty) で22時間の連続運転に成功した。アベイラビリティ89% (2週間平均)の可能性が示された。さらに模擬反射鏡での実験で磁場ミチゲーションによりミラー劣化率が 0.5%/Gpが100W級の出力で可能であることが示された.最近さらに100Wレベルでの運転で実ミラーでの集光鏡の反射率低下率が0.7%/Gp以下であることが実証された。講演では、さらに最新のデータを報告する。
13:50-14:20
EUVレジスト開発動向
JSR(株)
四日市研究センター 精密電子研究所 半導体材料開発室
主任研究員
丸山 研
半導体業界では集積度の継続的な向上に向けEUVリソグラフィ技術の実用化によるデザインルールの微細化が進められている。本講演では実用段階を迎えたEUVレジストの開発動向と量産及び品質保証体制についてJSRの取り組みを紹介する。