出展者によるセミナー
TSN1
同時通訳
東京ビッグサイト 東5ホール TechSTAGE NORTH
12月14日(水)10:20-12:00
STS パワーデバイスセッション(1)
新材料パワー半導体 ~本格実用化始まる~(1)
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概要
電動車や鉄道にSiCパワーデバイスが採用されるなど、新材料パワーデバイスも本格実用化が始まりつつあります。また、更なる高性能デバイスの報告も相次いでおります。ここでは、市場動向を含めSiC, GaNパワーデバイスや実装の現状、周辺技術の紹介を行います。
プログラムアジェンダ
パナソニックセミコンダクターソリューションズ(株) 上本 康裕
(株)アルバック 鄒 弘鋼
ローム(株) 中村 孝
10:20-10:50
SiCパワーデバイスとその応用の最新動向
(株)東芝
研究開発センター 電子デバイスラボラトリー
参事
四戸 孝
次世代パワー半導体材料のひとつとして注目されている炭化ケイ素(SiC)は、ウェハ高品質化・大口径化、製造プロセス技術の進展によりパワーデバイス開発・量産化への動きが活発化して、電車などから実用化が始まっており、2020年頃からは自動車用途に本格的に普及する見込みである。本講演では、SiCパワーデバイス開発の現状とシステムへの適用効果、国プロ、国際標準化などの最新動向について紹介する。
10:50-11:20
ワイドバンドギャップ半導体ソリューション
日本テキサス・インスツルメンツ(株)
技術戦略
特任部長
江本 知正
テキサス・インスツルメンツ(TI)はGaN FETモジュール、GaNやSiC MOSFETの駆動用ICを通じてワイドバンドギャップ半導体のエコシステム全体へのソリューションを提供している。TIのGaN FETは80Vや600VのGaNとゲートドライバを統合してモジュール化するという革新的な方法を取っており、ゲートドライバにはリンギングやEMIを改善するためのスリューレート制御や低電圧・過電流・過熱への保護回路が搭載されている。本講演では、80VのGaNを用いたハーフブリッジモジュール、600VのGaNを用いたパワーステージ、2チャンネルの5.7kVrms強化絶縁ゲートドライバなどを紹介する。
11:20-11:50
SiCパワー半導体のモジュール化技術の動向
国立研究開発法人産業技術総合研究所
先進パワーエレクトロニクス研究センター
副研究センター長
山口 浩
近年、SiCに代表される先進パワー半導体が注目されており、各種のパワーエレクトロニクス機器への適用が始まりつつある。しかし、先進パワー半導体の性能が現在広く利用されているSiパワー半導体の性能と大きく異なるため、優れた性能を活かすモジュールの実現には従来と異なる高水準の技術が要求される。本講演では、SiCパワー半導体を例に、その優れた性能を活用するためのモジュール化技術の動向と併せ、関連する材料・部品技術への要求などを紹介する。