出展者によるセミナー
TSN2
同時通訳
東京ビッグサイト 東5ホール TechSTAGE NORTH
12月14日(水)12:50-14:30
STS パワーデバイスセッション(2)
新材料パワー半導体 ~本格実用化始まる~(2)
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概要
電動車や鉄道にSiCパワーデバイスが採用されるなど、新材料パワーデバイスも本格実用化が始まりつつあります。また、更なる高性能デバイスの報告も相次いでおります。ここでは、市場動向を含めSiC, GaNパワーデバイスや実装の現状、周辺技術の紹介を行います。
プログラムアジェンダ
パナソニックセミコンダクターソリューションズ(株) 上本 康裕
(株)アルバック 鄒 弘鋼
ローム(株) 中村 孝
12:50-13:12
パワー半導体の可能性と市場展望
(株)矢野経済研究所
インダストリアルテクノロジーユニット
マネージャー
池山 智也
パワー半導体における最新の製品・技術動向を分析し、2025年までの世界市場規模をデバイス、需要分野別に予測。さらに、実用化が進んでいるSiC(シリコンカーバイド)、GaN(ガリウムナイトライド)の最新動向も分析し、将来の可能性を解説する
13:12-13:34
GaN Technology Development in a CMOS Foundy
TSMC
Analog Power Specialty Technology Division, R&D
Director
Hsiao-Chin Tuan
Wide band gap materials (SiC and GaN) have been highly noticeable for the new power devices after silicon based components, such as super junction and IGBT. SiC has demonstrated excellent static and dynamic characteristics, however, the devices are still costly. GaN on Si can be high efficiency devices in power applications, while at relatively reasonable prices. In this talk, technology for power applications developed in a CMOS foundry will be reported. The report will cover three devices: 650V depletion mode MISFET, 100V and 650V enhancement mode HEMT's. The device characteristics, the reliability, the application characterizations, and the manufacturing concerns will be addressed.
13:34-13:56
SiCパワーデバイス向けイオン注入と物理分析
(株)イオンテクノセンター
技術開発部
シニアリサーチャー
川野輪 仁
我々はSiC半導体等のパワーデバイスに対しイオン注入を行ってきた。SiCのイオン注入プロセスでは注入後のCキャップ成膜と高温アニール等の特殊なプロセスが必要となる。またイオン注入時の基板温度を制御する必要がある。これらイオン注入されたSiCデバイスの評価として、イオン散乱や電子顕微鏡、二次イオン質量分析等による結晶性評価、シート抵抗、ホール測定等の電気的特性評価を行っている。本講演ではこれら弊社の取り組みを紹介する。
13:56-14:18
パワー半導体製造工程におけるレーザアニール最新技術
住友重機械工業(株)
メカトロニクス事業部
主任技師
川﨑 輝尚
近年、省エネ化への意識の高まりに伴い、パワー半導体の需要が急速に増加している。特に電力損失の少ないパワー半導体に注目が集まっている。そのパワー半導体の製造工程ではウェハの薄板化が進み、局所的な加熱処理の必要性・重要性が増している。本講演では、このような局所的な加熱処理に適したレーザアニール技術について紹介する。