出展者によるセミナー
TSN4
同時通訳
東京ビッグサイト 東5ホール TechSTAGE NORTH
12月15日(木)10:20-12:00
STS 先端リソグラフィーセッション(1)
EUVL量産適用の準備状況
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概要
EUVLの半導体量産適用が時間の問題とされています。その準備状況と最近のEUVL関連技術の話題を取り上げます。
プログラムアジェンダ
(株)日立ハイテクノロジーズ 池野 昌彦
(株)ニコン 大和 壮一
10:20-10:55
EUV Lithography Industrialization Progress
エーエスエムエル・ジャパン(株)
テクノロジーデベロップメントセンター
ディレクター
宮崎 順二
This presentation will provide an overview of the industrialization of EUV Lithography, including the latest data on imaging, overlay, defectivity and source power/ productivity. It will include an update on the TWINSCAN NXE:3350B system as well as TWINSCAN NXE:3400B, ASML’s latest EUV tool, which customers intend to use for volume production.
10:55-11:25
EUVレジスト材料・プロセス技術の新展開
東京エレクトロン(株)
CTSPS BU
シニアマネージャ / チーフサイエンティスト
永原 誠司
近年、極紫外線(EUV)リソグラフィの進歩が顕著である。長年の開発の成果で、EUV露光装置の稼働率や光源出力が着実に上昇してきた。EUVリソグラフィ技術を開発しているデバイスメーカーには、7 nm/5 nmノード向けにEUVリソグラフィの実現を強力にすすめる動きがある。本講演では、EUVリソグラフィを支えるレジスト材料・プロセス技術に焦点をあて、業界動向を概観する。特に、EUVリソグラフィのレジスト感度を上げ、スループットを向上する光増感化学増幅型レジスト(PSCARTM)技術を詳しく紹介する。
11:25-11:55
EUVマスク検査技術の現状
レーザーテック(株)
技術五部
部長
宮井 博基
半導体デバイスの性能向上のためEUV露光の実用化が進みつつある。EUV露光ではMo/Si多層膜を反射層とするマスクブランクスが用いられるが、多層膜内部の転写性位相欠陥を検出するには、露光と同じ波長を用いるABI検査(Actinic Blank Inspetion)が必要である。またマスク裏面の付着異物がオーバーレイに影響しないよう異物の検査も必要である。このようにEUVマスク検査では従来と異なる検査が必要となるため、本発表ではその検査技術全般について報告する。