出展者によるセミナー
TSN5
同時通訳
東京ビッグサイト 東5ホール TechSTAGE NORTH
12月15日(木)12:50-14:30
STS 先端リソグラフィーセッション(2)
各種リソグラフィーの進展
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概要
依然として半導体量産の最先端を担い続ける液浸露光、新たな手段として注目を集めるナノインプリント、微細化にともない要望が強まるマルチ電子ビーム技術などの、各種リソグラフィー技術の最近の状況を紹介します。
プログラムアジェンダ
大日本印刷(株) 林 直也
キヤノン(株)東 尚史
12:55-13:25
7nmノードに向けた次世代液浸スキャナーの技術と性能
(株)ニコン
半導体装置事業部 開発統括部 第四開発部 性能保証課
主任研究員
今川 博人
液浸リソグラフィーと多重パターニング技術を組み合わせて、半導体の微細化が7nmノードに向けて進んでいる。露光装置(液浸スキャナー)には精度と生産性の向上が継続して求められている。こうした要求を満たすため、ニコンは新たな投影レンズ制御とアライメントおよびフォーカスのシステムをもつ次世代液浸スキャナー装置を開発した。本稿では、次世代液浸スキャナーの新技術の詳細と性能評価の結果について紹介する。
13:25-13:55
ナノインプリントリソグラフィの進捗
キヤノン(株)
半導体機器NGL第二開発部
部長
宇梶 隆夫
ナノインプリントは、次世代リソグラフィ技術として低CoOと優れた解像性能で 注目されています。本講演では、弊社が最先端のNAND FLASHやDRAMなどのデバイス適用に向け開発している新しいナノインプリント装置、それに搭載した技術の紹介など、マスクレプリケーションを含む最新のナノインプリント技術開発の状況と今後の展開について報告します。
13:55-14:25
Multi-Beam Mask Writer MBMW-101 for the 7 nm node, and beyond
IMS Nanofabrication AG
Chief Executive Officer
Elmar Platzgummer
The world’s first high throughput multi-beam mask writer (MBMW) has been realized by upgrading the existing MBMW Alpha tool with a 10x faster data path. In this tool a multi-beam column provides 262k programmable beams; the current density is adjustable up to 1 A/cm², resulting in a total beam current of c. 1 µA. With the upgraded 120 Gbps data path a 7 nm node mask can be written in less than 10 hours. The performance of the MBMW tool and its extendibility to future nodes will be discussed.