出展者によるセミナー
TSN8
同時通訳
東京ビッグサイト 東5ホール TechSTAGE NORTH
12月16日(金)12:50-14:30
STS 先端デバイス・プロセスセッション(1)
先端デバイスの現状と将来の展望(1)
Sponsored by
概要
モバイル・IOT機器の小型化・高性能化のために、ロジック・メモリ・イメージセンサデバイスの開発が続けられています。これら最先端デバイス・プロセス技術を把握する事が、モバイル・IOT機器ビジネスのために重要となっております。本セッションでは、第一線の技術者により最新技術動向・開発結果を紹介していただきます。
プログラムアジェンダ
日新イオン機器(株) 中島 良樹
(株)ソシオネクスト 三⾕ 純⼀
GLOBALFOUNDRIES Inc. 東郷 光洋
12:50-13:20
将来のロジックLSIのためのGe/III-Vを用いたMOS デバイス技術
東京大学
大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
教授
高木 信一
サブ10nm世代のロジックLSIの実現に向けて、電源電圧低下による超低消費電力化の観点から、Ge/III-Vチャネルを用いたMOSデバイスの研究開発が活発に続けられている。Ge/III-Vを用いたMOS素子は、その高移動度性により、素子性能を維持しながら電源電圧を低下できると共に、CMOSよりもサブスレショルド領域を削減できるトンネルFETへの応用も期待されている。本講演では、Ge/III-Vチャネルを用いたCMOSやトンネルFETの現状を紹介し、現状の課題と将来展望を述べると共に、我々が進めている関連技術を紹介する。
13:20-14:20
電子デバイス微細化の終焉とその後の世界
東京工業大学
科学技術創成研究院 未来産業技術研究所
名誉教授
岩井 洋
IoTや人工知能などを支えるエレクトロニクスは20世紀初頭の真空管や現在の半導体デバイスなどのデバイスの微細化により100年以上に亘って驚異的な発展を遂げてきた。然しながら微細化は今後数年程度でその限界に到達することが明白となってきた。本講演では微細化限界到達の理由を説明し、その後の世界を中期的及び長期的に予測する。