出展者によるセミナー
TSN9
同時通訳
東京ビッグサイト 東5ホール TechSTAGE NORTH
12月16日(金)15:10-16:50
STS 先端デバイス・プロセスセッション(2)
先端デバイスの現状と将来の展望(2)
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概要
モバイル・IOT機器の小型化・高性能化のために、ロジック・メモリ・イメージセンサデバイスの開発が続けられています。これら最先端デバイス・プロセス技術を把握する事が、モバイル・IOT機器ビジネスのために重要となっております。本セッションでは、第一線の技術者により最新技術動向・開発結果を紹介していただきます。
プログラムアジェンダ
(株)荏原製作所 南部 勇雄
(株)東芝 冨⽥ 寛
ソニーセミコンダクタソリューションズ(株) 岩元 勇⼈
15:10-15:40
画素毎の接続を有する3次元積層を用いた先進グローバルシャッタCMOSイメージセンサ技術
東北大学
大学院工学研究科
准教授
黒田 理人
画素毎の接続を有する3次元積層化を用いた露光時間途切れのない広ダイナミックレンジグローバルシャッタCMOSイメージセンサ技術について発表する。開発した先進グローバルシャッタCMOSイメージセンサは、画素内に広ダイナミックレンジ化のための横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC)と、12ビットのシングルスロープ型ADCおよびDRAMを有する。設計・試作・測定を行ったプロトタイプチップでは45nmノード1P4M CMOSイメージセンサテクノロジをフォトダイオード基板に、65nmノード1P5M CMOSテクノロジをASIC基板に適用し、6.6μmピッチでVGAサイズのLOFICを有するグローバルシャッタモードと、1.65μmピッチで画素数4.9Mの高精細ローリングシャッタモードを実装した。本技術の内容、および将来展望について議論する。
15:40-16:10
ローパワーシステムに向けたSTT-MRAMと不揮発性ロジックへの応用展開
東北大学
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
センター長
遠藤 哲郎
はじめに、現在工業化されているワーキングメモリ(SRAMとDRAM)とストレージメモリ(NANDメモリなど)の現状を示し、今後の課題を議論する。次に、ワーキングメモリに不揮発性機能を持たせることを目指したSTT-MRAMの技術動向を述べると共に、不揮発性ロジックへの展開を議論する。最後に、これらの革新的メモリ技術が、将来のエレクトロニクスシステムに与えるインパクトを議論する。
16:10-16:40
高速化要求が生み出す次の15年サイクル
みずほ証券(株)
エクイティ調査部
シニアアナリスト
山本 義継
エレクトロニクス業界は、TV、VTR、PC、スマホによる15年サイクルで成長してきた。スマホサイクルがピークアウトしつつある現在、2030年に向け、どのような製品や技術が成長ドライバーとなりうるのか。
ムーアの法則が限界を迎えつつある中、先端技術はどのようにして最終需要を牽引することができるのか。当社では、データ量の急拡大により、「高速化」と「低遅延化」への技術要求が高まると予想している。
そのような要求を満たす技術や製品は、「価格プレミアム」を享受できると考える。